Transistores de salida de potencia de 760MHz 19.5dB LDMOS FET 60W para aplicaciones de RF

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :No está disponible

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Voltado nominal :65 V

Paquete :Cintas y bobinas (TR)

Serie :-

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :H-36265-2

Voltaje - prueba :El número de unidades

El Sr. :Tecnologías Infineon

Frecuencia :760 MHz

Ganancias :19.5 dB

Envase / estuche :H-36265-2

Actual - prueba :600 mA

Potencia - Producción :60 W

Tecnología :ldmos

Clasificación de corriente (amperios) :-

Número del producto de base :Se aplicará el procedimiento siguiente:

Descripción :FET RF LDMOS 60W H36265-2

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Mosfet RF 28 V 600 mA 760 MHz 19,5 dB 60 W H-36265-2

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Circuitos integrados