Transistor NPN bipolar discreto SSMini3-F3-B paquete de 50V de descomposición 125mW de potencia

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s

Corriente - colector (Ic) (máximo) :100 MA

Estado del producto :Descatalogado en Digi-Key

Tipo de transistor :NPN - Pre-en polarización negativa

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Paquete :Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles de los c

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :50 V

Paquete de dispositivos del proveedor :SSMini3-F3-B

Resistencia - Base (R1) :10 kOhms

El Sr. :Componentes electrónicos de Panasonic

Resistencia - Base del emisor (R2) :10 kOhms

Corriente - límite del colector (máximo) :500 nA

Potencia - máximo :125 mW

Envase / estuche :SC-89, SOT-490

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :35 @ 5mA, 10V

Número del producto de base :DRC9114

Descripción :Trans Prebias NPN 125 MW SSMINI3

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - 50 V 100 mA 125 mW de montaje de superficie pre-biasado SSMini3-F3-B

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