FET RF LDMOS obsoleto Transistor de 2.3 GHz 16W Chasis de potencia Montado 65V Configuración doble

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :No está disponible

Tipo de montaje :Montura del chasis

Voltado nominal :65 V

Paquete :Cintas y bobinas (TR)

Configuración :- ¿Qué quieres decir?

Serie :-

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :El NI-780-4

Voltaje - prueba :El número de unidades

El Sr. :NXP EE.UU. Inc.

Frecuencia :2.3GHz

Ganancias :14.6dB

Envase / estuche :El NI-780-4

Actual - prueba :280 mA

Potencia - Producción :16 W

Tecnología :ldmos

Clasificación de corriente (amperios) :-

Número del producto de base :Se aplicará el siguiente procedimiento:

Descripción :FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Mosfet RF 28 V 280 mA 2,3 GHz 14,6 dB 16 W NI-780-4

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Circuitos integrados