Potente transistor LDMOS RF FET de la serie obsoleta Montado en el chasis 65V con potencia nominal de 35.5W Salida 1.81GHz - 1.88GHz 20dB

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :No está disponible

Tipo de montaje :Montura del chasis

Voltado nominal :65 V

Paquete :Cintas y bobinas (TR)

Serie :-

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :El CDFM6

Voltaje - prueba :El número de unidades

El Sr. :Ampleon USA Inc.

Frecuencia :1.81 GHz ~ 1.88 GHz

Ganancias :20 dB

Envase / estuche :Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.

Actual - prueba :Las demás:

Potencia - Producción :35.5W

Tecnología :ldmos

Clasificación de corriente (amperios) :-

Número del producto de base :Se trata de una

Descripción :El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calculará en

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Mosfet de RF 28 V 800 mA 1,81 GHz ~ 1,88 GHz 20 dB 35,5 W CDFM6

Carro de la investigación 0

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