FET RF de montaje de chasis LDMOS obsoleto de 65V 38W para el paquete NI-1230 - Salida de energía de 2,16 GHz

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :No está disponible

Tipo de montaje :Montura del chasis

Voltado nominal :65 V

Paquete :Cintas y bobinas (TR)

Serie :-

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :No se puede utilizar.

Voltaje - prueba :El número de unidades

El Sr. :NXP EE.UU. Inc.

Frecuencia :2.16GHz

Ganancias :14 dB

Envase / estuche :No se puede utilizar.

Actual - prueba :1,6 A

Potencia - Producción :38w

Tecnología :ldmos

Clasificación de corriente (amperios) :-

Número del producto de base :Se aplicará el procedimiento siguiente:

Descripción :FET RF 65V 2,16 GHz NI-1230

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Mosfet RF 28 V 1,6 A 2,16 GHz 14 dB 38 W NI-1230

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