Transistor de potencia RF LDMOS obsoleto de 35 W 20.9dB Ganancia 880MHz Frecuencia para el montaje del chasis

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :No está disponible

Tipo de montaje :Montura del chasis

Voltado nominal :de tensión máxima igual o superior a

Paquete :Cintas y bobinas (TR)

Serie :-

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :El NI-780H-2L

Voltaje - prueba :El número de unidades

El Sr. :NXP EE.UU. Inc.

Frecuencia :880 MHz

Ganancias :20.9 dB

Envase / estuche :Se aplicará el procedimiento siguiente:

Actual - prueba :1,2 A

Potencia - Producción :35 W

Tecnología :ldmos

Clasificación de corriente (amperios) :-

Número del producto de base :Sección 6

Descripción :FET RF 68V 880MHZ NI-780

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Mosfet RF 28 V 1,2 A 880 MHz 20,9 dB 35 W NI-780H-2L

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