Tecnologías Infineon 1.2-1.4GHz 350W Dual LDMOS RF FETs Transistores de montaje de superficie

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :No está disponible

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Voltado nominal :105,0 V

Paquete :la bandeja

Configuración :- ¿Qué quieres decir?

Serie :-

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :H-37248-2

El Sr. :Tecnologías Infineon

Frecuencia :1Las señales sonoras de los dispositivos de radiofrecuencia

Ganancias :17 dB

Envase / estuche :2-Placa, con plumas de aleta, con flancos

Potencia - Producción :350 W

Tecnología :ldmos

Clasificación de corriente (amperios) :10µA

Descripción :IC AMP RF LDMOS

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Mosfet de RF 1,2 GHz ~ 1,4 GHz 17 dB 350 W H-37248-2

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