Transistores bipolares de silicio activos de Toshiba NPN 50V 120 DC hFE 150mW VESM Montaje de superficie 22kOhms 100mA

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s

Corriente - colector (Ic) (máximo) :100 MA

Estado del producto :Actividad

Tipo de transistor :NPN - Pre-en polarización negativa

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Paquete :Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles de los c

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :50 V

Paquete de dispositivos del proveedor :VESM

Resistencia - Base (R1) :22 kOhms

El Sr. :Toshiba Semiconductor y almacenamiento

Corriente - límite del colector (máximo) :100nA (ICBO)

Potencia - máximo :150 mW

Envase / estuche :SOT-723

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :120 @ 1mA, 5V

Número del producto de base :RN1112

Descripción :Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - VESM de montaje de superficie pre-biasado de 50 V 100 mA 150 mW

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