Tecnologías Infineon LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Transistor de ganancia para la amplificación de potencia de RF

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :No está disponible

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Voltado nominal :65 V

Paquete :Cintas y bobinas (TR)

Serie :-

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :H-37260-2 (incluido el nombre de la empresa)

Voltaje - prueba :30 V

El Sr. :Tecnologías Infineon

Frecuencia :2.14GHz

Ganancias :15.8 dB

Envase / estuche :2-Placa, con plumas de aleta, con flancos

Actual - prueba :1,6 A

Potencia - Producción :50 W

Tecnología :ldmos

Clasificación de corriente (amperios) :10µA

Número del producto de base :Se aplicará el procedimiento siguiente:

Descripción :Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Mosfet de RF 30 V 1,6 A 2,14 GHz 15,8 dB 50 W H-37260-2

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