Transistor Toshiba de transición de 200MHz con frecuencia de transición de 100mA colector (Ic) con ruptura de 50V

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s

Corriente - colector (Ic) (máximo) :100 MA

Estado del producto :Actividad

Tipo de transistor :PNP - Prejuiciado

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Frecuencia - Transición :200 MHz

Paquete :Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emis

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :50 V

Paquete de dispositivos del proveedor :SSM

Resistencia - Base (R1) :4,7 kiloohmios

El Sr. :Toshiba Semiconductor y almacenamiento

Corriente - límite del colector (máximo) :100nA (ICBO)

Potencia - máximo :100 mW

Envase / estuche :SC-75, SOT-416

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :120 @ 1mA, 5V

Número del producto de base :RN2110

Descripción :Trans Prebias PNP 50V 0.1A SSM

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Transistores bipolares pre-biasados (BJT) PNP - SSM de montaje superficial pre-biasado de 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW

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