FET RF LDMOS obsoleto de 65 V 20 W con frecuencia de 2,17 GHz y ganancia de 18,5 dB

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :No está disponible

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Voltado nominal :65 V

Paquete :Cintas y bobinas (TR)

Serie :-

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :H-37265-2

Voltaje - prueba :El número de unidades

El Sr. :Wolfspeed, Inc.

Frecuencia :2.17GHz

Ganancias :18.5dB

Envase / estuche :H-37265-2

Actual - prueba :750 mA

Potencia - Producción :20 W

Tecnología :ldmos

Clasificación de corriente (amperios) :-

Descripción :FET RF LDMOS 80W H37265-2

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Mosfet de RF 28 V 750 mA 2,17 GHz 18,5 dB 20 W H-37265-2

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