Transistores bipolares de NPN S activos con una potencia de 300 MHz 50V 800mA 200mW 1kOhms TO-236-3

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s

Corriente - colector (Ic) (máximo) :Las demás:

Estado del producto :Actividad

Tipo de transistor :NPN - Pre-en polarización negativa

Frecuencia - Transición :300 MHz

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Paquete :Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :250 mV @ 2mA, 50 mA

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :50 V

Paquete de dispositivos del proveedor :S-mini

Resistencia - Base (R1) :kOhms 1

El Sr. :Toshiba Semiconductor y almacenamiento

Resistencia - Base del emisor (R2) :kOhms 1

Corriente - límite del colector (máximo) :500 nA

Potencia - máximo :200 mW

Envase / estuche :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :60 @ 100mA, 1V

Número del producto de base :No incluidos en la lista

Descripción :Trans Prebias NPN 50V 0,8A SMINI

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 800 mA 300 MHz 200 mW Monte de superficie S-Mini

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