El tipo	Descripción	Seleccionar
Categoría	Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
El Sr.	Tecnologías Infineon
Serie	HEXFET®
Paquete	Cintas y bobinas (TR)
Estado del producto	No para nuevos diseños
Tipo de FET	N-canal
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss)	Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C	Se aplicarán las siguientes medidas:
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id	4V @ 250μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	9575 pF @ 50 V
Característica del FET	-
Disposición de energía (máximo)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedor	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.
Envase / estuche	TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB

Línea de ventaja

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