Amplificador de potencia del amplificador 700-2700MHz de TXtelsig YP2233W RF
El YP2233W es un amplificador de potencia de banda ancha del alto rango dinámico en un paquete superficial del soporte. El amplificador de dos etapas proporciona un aumento típico de 26dB, mientras que pudiendo alcanzar el alto rendimiento para los usos de 0.7-2.7 gigahertz con hasta +35dBm del poder comprimido 1dB, la condición diagonal típica es 5V en 280mA. El dispositivo se fabrica en un proceso bipolar del transistor de la heterounión avanzada de InGaP (HBT). El dispositivo incorpora el conjunto de circuitos diagonal propietario para compensar variaciones en linearidades y drenaje actual sobre temperatura. El YP2233W está montado en 16 un perno, 4mm×4m m, paquete de QFN. Internamente se integra con el conjunto de circuitos de la protección del ESD en todos los puertos.
Características
■RoHS y producto Pb-libre
■rango de operación 700~2700MHz
■operación 3.3~5.0V
■aumento 26dB (tipo) @1.6GHz
■34dBm P1dB @VCC=5V
■corriente quieta 280mA
■>15dB entró la pérdida de vuelta
■Detector de potencia de salida integrado
■Protección del ESD todos los puertos sobre 1000V HBM
Usos
■punto de acceso 802.11b/g/n
■equipo inalámbrico del ISMO 2.4GHz
■Sistemas de comunicación del PCS
■Sistemas de banda ancha del espectro de gama ancha
■Uso de los amplificadores de poder más elevado
■Amplificadores del estadio final para los repetidores
■Compás de BD
Información el ordenar
■Amplificador de potencia de banda ancha de YP2233W
■Comité de Evaluación de YP2233W EVB-1 1.2-1.3GHz
■Comité de Evaluación de YP2233W EVB-2 1.5-1.7GHz
■Comité de Evaluación de YP2233W EVB-3 2.4-2.5GHz
¡Precaución! Dispositivo sensible del ESD.
Grado del ESD: Class1C
Valor: Passes≥1000V mínimo.
Prueba: Modelo del cuerpo humano (HBM)
Estándar: JEDEC JESD22-A114 estándar
Grado del ESD: Clase IV
Valor: Pasos ≥1000V mínimos.
Prueba: Modelo cargado del dispositivo (CDM)
Estándar: JEDEC JESD22-C101 estándar
Grado de MSL: Llano 3 en la convección de +260 °C
flujo
Estándar: JEDEC J-STD-020 estándar
| Parámetro |
Grado |
Unidad |
| Poder entrado del RF |
20 |
dBm |
| Voltaje de fuente |
-0,5 a +8,0 |
V |
| Voltaje de polarización |
-0,5 a +3,0 |
V |
| Corriente de la fuente de DC |
2000 |
mA |
| Temperatura ambiente de funcionamiento |
-40 a +85 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento |
-40 a +150 |
°C |
| Pin Description |
| Pin No. |
Símbolo |
Descripción |
| 1 |
VCCB |
Voltaje de fuente para el prejuicio |
| 3 |
RF ADENTRO |
Entrada del RF |
| 5 |
VCTR |
Voltaje con./desc. del control del poder |
| 6, 7 |
VREF1, VREF2 |
Voltaje actual diagonal del control |
| 9, 10, 11, 12 |
RF FUERA DE (VCC2) |
Salida del RF y voltaje de colector de la etapa 2 |
| 14 |
DET |
De potencia de salida detecte |
| 15 |
VCCD |
Voltaje de fuente para el detector del poder |
| 16 |
VCC1 |
Efectúe 1 voltaje de colector |
| 2, 4, 8, 13 |
NC/GND |
Ninguna conexión o tierra |
