Shenzhen TeXin electronic Co., Limited

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aumento del poder del amplificador de potencia 1400-1800MHz YP163038 30dB de 1.6GHz 6W GaAs MMIC RF

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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aumento del poder del amplificador de potencia 1400-1800MHz YP163038 30dB de 1.6GHz 6W GaAs MMIC RF

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Number modelo :YP163038
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :1
Términos de pago :L / C, T / T, Paypal, etc.
Gama de frecuencia :1400-1800MHz
Gane (tipo) :30dB
Operación :3.3-5.5V
Corriente quieta :12mA
Tipo :Amplificador profesional, Mini Amplifier, amplificador casero
Fuente de alimentación :220V/50Hz, 12V 1.67A, 220V
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Amplificador de potencia 1400-1800MHz del amplificador 1.6GHz 6W GaAs MMIC de TXtelsig YP163038 RF

El YP163038 es un de alta potencia, el amplificador de potencia de gran eficacia piensa para la comunicación por satélite y la navegación de BDS. El amplificador de potencia proporciona un aumento típico del poder de DB 30 y el poder de la saturación de 38dBm con la entrada del CW, condición diagonal quieta típica es 5.0V en 12mA. El dispositivo se fabrica en un proceso bipolar del transistor de la heterounión avanzada de InGaP/GaAs (HBT). El YP163038 está montado en 20 un perno, 5mm×5m m, paquete de QFN, él internamente se integra con la unidad de la protección del ESD.

Características
gama de frecuencia 1.4~1.8GHz
■aumento del poder 30dB (tipo)
■saturación 38dBm de potencia de salida
■10dB entró la pérdida de vuelta
■operación 3.3~5.5V
■corriente quieta 12mA
■Detector de potencia de salida integrado
■Unidad integrada de la protección del ESD
Tecnología avanzada de InGaP/GaAs HBT

Usos
Comunicación por satélite y navegación de BDS
■Sistema aéreo sin tripulación del vehículo


Información el ordenar
Microprocesador del amplificador de potencia de YP163038 1.6GHz
■Comité de Evaluación de YP163038-EVB 1.6GHz YP163038

¡Precaución! Dispositivo sensible del ESD


Grado del ESD: Class1C
Valor: Passes≥1000V mínimo.
Prueba: Modelo del cuerpo humano (HBM)
Estándar: JEDEC JESD22-A114 estándar


Grado del ESD: Clase IV
Valor: Pasos ≥1000V mínimos.
Prueba: Modelo cargado del dispositivo (CDM)
Estándar: JEDEC JESD22-C101 estándar

Grado de MSL: Llano 3 en la convección de +260 °C
flujo
Estándar: JEDEC J-STD-020 estándar

Parámetro Grado Unidad
Poder entrado del RF 10 dBm
Voltaje de fuente -0,5 a +6,0 V
Voltaje de polarización -0,5 a +3,0 V
Corriente de la fuente de DC 3500 mA
Temperatura ambiente de funcionamiento -40 a +85 °C
Temperatura de almacenamiento -40 a +150 °C

aumento del poder del amplificador de potencia 1400-1800MHz YP163038 30dB de 1.6GHz 6W GaAs MMIC RF

Pin Description
Pin No. Símbolo Descripción
3 RF ADENTRO Entrada del RF
7, 9 VR1&2, VR3 Voltaje actual diagonal del control
18 VCCB Voltaje de fuente para el prejuicio
8 VCTR Voltaje del control llano de poder
11, 12, 13, 14, 15 RF FUERA DE (VCC3) Salida del RF y voltaje de colector de la etapa 3
16 VCC2 Efectúe el voltaje de colector 2
17 PDET El poder detecta
18 VCCB Voltaje de fuente para el prejuicio
19 VCCD Voltaje de fuente para el detector del poder
20 VCC1 Efectúe 1 voltaje de colector
1, 2, 4, 5, 6, 10 NC/GND Ninguna conexión o tierra

Carro de la investigación 0