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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

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Casa / Productos / IGBT Power Module / IXFN56N90P 900V 56A MOSFET de canal N Ultra-bajo Rds ((on) 135mΩ HiPerFETTM Tecnología Polar Diodo de cuerpo rápido bajo Qg Conmutación de alta velocidad SOT-227B Paquete para UPS y unidades /

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IXFN56N90P 900V 56A MOSFET de canal N Ultra-bajo Rds ((on) 135mΩ HiPerFETTM Tecnología Polar Diodo de cuerpo rápido bajo Qg Conmutación de alta velocidad SOT-227B Paquete para UPS y unidades
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IXFN56N90P 900V 56A N-Channel MOSFET Ultra-Low Rds(on) 135mΩ HiPerFET™ Polar Technology Diodo de Cuerpo Rápido Baja Qg Conmutación de Alta Velocidad ...
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