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10 Años
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SSM3K361R,LF MOSFET de N-Canal 20V 3A con RDS de 40mΩ ultrabajo ((on) SOT-23 Paquete Alta densidad de potencia Eficiencia superior Conmutación rápida y control de nivel lógico para diseños compactos

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SSM3K361R,LF MOSFET de N-Canal 20V 3A con RDS de 40mΩ ultrabajo ((on) SOT-23 Paquete Alta densidad de potencia Eficiencia superior Conmutación rápida y control de nivel lógico para diseños compactos

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Número de modelo :SSM3K361R, LF
Lugar de origen :PORCELANA
Cantidad mínima de pedido :1
Términos de pago :T/T, Western Union,
Capacidad de suministro :1000pcs por mes
El tiempo de entrega :3-5 días hábiles después de recibir el pago
Detalles del embalaje :Empaquetado en la bandeja original en primer lugar, luego Carton, al final de la bolsa de burbujas p
Función :Agudo, baja hacia abajo
Configuración de salida :Positivo o negativo
Topología :Buck, Boost
Tipo de salida :Ajustable
Número de salidas :1
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SSM3K361R,LF MOSFET de N-Canal 20V 3A con RDS de 40mΩ ultrabajo ((on) SOT-23 Paquete Alta densidad de potencia Eficiencia superior Conmutación rápida y control de nivel lógico para diseños compactos

 

Características 

Calificado AEC-Q101 (consulte la lista de números de piezas ordenables)

175°C MOSFET

4.5 V de accionamiento

Resistencia de baja fuente de drenaje:

El valor de las emisiones de CO2 emitidas por la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica.

RDS ((ON) = 51 mΩ (típico) (@VGS = 10 V)

 

Aplicaciones

• Interruptores de gestión de energía

• Conversores de corriente continua

 

Descripción

El SSM3K361R, LFes un transistor de efecto de campo de modo de mejora N-canal (MOSFET) diseñado en un paquete de montaje superficial compacto SOT-23.Está diseñado para proporcionar una alta eficiencia y densidad de energía en un espacio mínimo de la placa, por lo que es una solución ideal para una amplia gama de aplicaciones de gestión de energía y conmutación en dispositivos electrónicos portátiles y de espacio limitado.

 

Información

Categoría
El Sr.
Serie
Embalaje
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Estado de las partes
Actividad
Tipo de FET
Tecnología
Voltagem de salida a la fuente (Vdss)
Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)
4.5V y 10V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs
Se aplicarán las siguientes medidas:
Vgs(th) (máximo) @ Id
2.5V @ 100μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
3.2 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
± 20 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
430 pF @ 15 V
Característica del FET
-
Disposición de energía (máximo)
1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
175 °C
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedor
El SOT-23F
Envase / estuche
Número del producto de base

 

Dibujo

SSM3K361R,LF MOSFET de N-Canal 20V 3A con RDS de 40mΩ ultrabajo ((on) SOT-23 Paquete Alta densidad de potencia Eficiencia superior Conmutación rápida y control de nivel lógico para diseños compactos

Nuestra ventaja:Los teléfonos, las PDA, las computadoras portátiles.

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Lista de productos
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