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| Función | Paso a paso, paso a paso |
| Configuración de salida | Positivo o negativo |
| Topología | Buck, el impulso |
| Tipo de salida | Adjustable |
| Número de resultados | 1 |
Este HEXFET® Power MOSFET cuenta con una configuración de canal N+P dual con corriente nominal de ±5,3A y voltaje de 20V en el paquete SOIC-8.Ofrece un cambio rápido y una alta eficiencia para aplicaciones de gestión de energía al tiempo que ahorra espacio.
| Categoría | Productos discretos de semiconductores>Transistores>FET, MOSFET |
| Fabricante | Tecnologías Infineon |
| Serie | HEXFET® |
| Embalaje | Cintas y carretes (TR) Cintas cortadas (CT) Digi-Reel® |
| Estado de las partes | No está disponible |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | 12 V |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 1.8V, 4.5V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente: |
| Vgs (máximo) | ± 8V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 3529 pF @ 10 V |
| Disposición de energía (máximo) | 2.5W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 8 SO |
| Envase / estuche | 8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) |
| Número del producto de base | IRF7420 |
Suministramos una gama completa de componentes electrónicos incluyendo semiconductores, componentes activos y pasivos.