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| Atributo | Valor |
|---|---|
| Función | Paso a paso, paso a paso |
| Configuración de salida | Positivo o negativo |
| Topología | Buck, el impulso |
| Tipo de salida | Adjustable |
| Número de resultados | 1 |
FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM con resistencia ilimitada de 150ns sin retraso de escritura 1MHz Interfaz I2C 10^14 Ciclos de lectura/escritura Baja corriente de espera de 50 μA y 40 años de retención de datos
La FM24CL04B es una memoria no volátil de 4 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado.Proporciona una conservación fiable de los datos durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, gastos generales y problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por EEPROM y otras memorias no volátiles.
A diferencia de EEPROM, el FM24CL04B realiza operaciones de escritura a velocidad de bus.Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin la necesidad de encuestas de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.F-RAM exhibe una potencia mucho menor durante las escrituras que EEPROM ya que las operaciones de escritura no requieren un voltaje de alimentación internamente elevado para los circuitos de escrituraEl FM24CL04B es capaz de soportar 1014Ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que EEPROM.
Estas capacidades hacen que el FM24CL04B sea ideal para aplicaciones de memoria no volátil, que requieren escrituras frecuentes o rápidas.,La combinación de características permite una grabación de datos más frecuente con menos gastos generales para el sistema.
El FM24CL04B proporciona beneficios sustanciales a los usuarios de EEPROM serie (I2C) como un reemplazo de hardware.Las especificaciones del dispositivo están garantizadas en un rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C.
Para una lista completa de documentación relacionada,haga clic aquí.
| Categoría | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| El Sr. | Tecnologías Infineon |
| Serie | F-RAMTM |
| Embalaje | El tubo |
| Estado de las partes | Actividad |
| DigiKey es programable | No verificado |
| Tipo de memoria | No volátiles |
| Formato de memoria | Frente |
| Tecnología | Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas |
| Tamaño de la memoria | 4Kbit |
| Organización de la memoria | 512 x 8 |
| Interfaz de memoria | I2C |
| Frecuencia del reloj | 1 MHz |
| Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | 550 ns |
| Voltagem - Suministro | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | 8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 8-SOIC |
| Número del producto de base | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
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