MC34152PG Controlador MOSFET dual, corriente pico de 1.5A, alimentación de 12V-18V, subida/bajada de 50ns, DIP-8, -40°C a +85°C

MC34152PG Dual MOSFET Driver 1.5A Corriente máxima 12V-18V Suministro 50ns Subida/Baja DIP-8 -40°C a +85°C

Características

• Dos canales independientes con salidas de tótem de 1,5 A

• Tiempos de subida y caída de salida de 15 ns con carga de 1000 pF

• Entradas compatibles CMOS/LSTTL con histeresis

• Bloqueo de bajo voltaje con histeresis

• Baja corriente de espera

• Funcionamiento de alta frecuencia eficiente

• Mejora del rendimiento del sistema con circuitos integrados comunes de control de reguladores de conmutación

• Prefijo NCV para aplicaciones automotrices y otras que requieren controles de instalación y de cambio

• Se trata de dispositivos libres de Pb y de halogenidos

Descripción

El MC34152/MC33152 son dos controladores de alta velocidad no inversores diseñados específicamente para aplicaciones que requieren señales digitales de baja corriente para conducir grandes cargas capacitivas con altas tasas de ejecución.Estos dispositivos cuentan con baja corriente de entrada que los hace compatibles con la lógica CMOS / LSTTL, histeresis de entrada para conmutación rápida de salida que es independiente del tiempo de transición de entrada, y dos salidas de polos tótem de alta corriente idealmente adecuadas para MOSFETs de potencia motriz.También se incluye un bloqueo de bajo voltaje con histeresis para evitar el funcionamiento errático del sistema a bajos voltajes de alimentación.

Las aplicaciones típicas incluyen fuentes de alimentación de conmutación, convertidores de CC a CC, dobladores/invertidores de voltaje de la bomba de carga del condensador y controladores de motor.

Este dispositivo está disponible en paquetes de doble montaje en línea y en superficie.

Etapa de entrada

Las entradas lógicas tienen 170 mV de histeresis con el umbral de entrada centrado en 1.67 V.Los umbrales de entrada son insensibles a VCC, lo que hace que este dispositivo sea directamente compatible con las familias lógicas CMOS y LSTTL en todo su rango de voltaje de funcionamientoLa histeresis de entrada proporciona una conmutación rápida de salida que es independiente del tiempo de transición de la señal de entrada, evitando las oscilaciones de salida a medida que se cruzan los umbrales de entrada.Las entradas están diseñadas para aceptar una amplitud de señal que va desde tierra a VCCEsto permite que la salida de un canal conduzca directamente la entrada de un segundo canal para la operación maestro-esclavo.Cada entrada tiene una resistencia de 30 k pulldown de modo que una entrada abierta no conectada hará que la salida de la unidad asociada esté en un estado bajo conocido.

Etapa de producción

Cada salida de accionamiento de tótem es capaz de obtener y hundirse hasta 1,5 A con una resistencia típica de 2,4 a 1,0 A.La baja resistencia on permite alcanzar altas corrientes de salida a un VCC más bajo que con controladores CMOS comparativosCada salida tiene una resistencia de tracción de 100 k para mantener la puerta MOSFET baja cuando el VCC es inferior a 1,4 V. No se ha diseñado protección contra sobrecorriente o térmica en el dispositivo,por lo que el cortocircuito de salida a VCC o tierra debe evitarse.

La inductancia parasitaria en serie con la carga hará que las salidas del controlador anulen por encima de VCC durante la transición de encendido y por debajo de la tierra durante la transición de apagado.este modo de operación puede causar una condición de bloqueo de salida destructiva. El MC34152 es inmune a los bloqueos de salida. Las salidas de accionamiento contienen un diodo interno a VCC para sujetar los transitorios de voltaje positivo.Se deberá observar un desvío adecuado de la fuente de alimentación para evitar que el timbre de salida supere la potencia máxima del dispositivo de 20 V.Los transitorios de salida negativos son sujetados por el transistor de extracción NPN interno.La disipación de energía a altas frecuencias puede ser excesivaLas figuras 19, 20 y 21 muestran un método de utilización de abrazaderas de diodo Schottky externas para reducir la disipación de la potencia del conductor.

Información

Dibujo

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