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Casa / Productos / Integrated Circuit Components / SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET de canal P de 20 V, corriente continua de 4,1 A, 0,045 Ω Rds(on), accionamiento de nivel lógico de 1,8 V, TO-236-3 SC-59 SOT-23-3, -55 °C a +150 °C, calificado AEC-Q101 /

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SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET de canal P de 20 V, corriente continua de 4,1 A, 0,045 Ω Rds(on), accionamiento de nivel lógico de 1,8 V, TO-236-3 SC-59 SOT-23-3, -55 °C a +150 °C, calificado AEC-Q101
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SI2333DDS-T1-GE3 CARACTERÍSTICAS • MOSFET de potencia TrenchFET® • 100 % Rg probado • Categorización de materiales: Para definiciones de cumplimiento, ...
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