TOP Electronic Industry Co., Ltd.

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Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
10 Años
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FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 Resistencia 151 años Retención sin retraso Escribir 3.6V Máximo, SOIC-8 -40°C~85°C

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FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 Resistencia 151 años Retención sin retraso Escribir 3.6V Máximo, SOIC-8 -40°C~85°C

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Número de modelo :FM24CL64B-GTR
Lugar de origen :China
Cantidad mínima de pedido :1
Payment Terms :T/T, Western Union,
Capacidad de suministro :1000 piezas por mes
Tiempo de entrega :3-5 días hábiles después de recibir el pago
Detalles del embalaje :Envasado en bandeja original primero, luego cartón, finalmente bolsa de burbujas para el embalaje ex
Función :Paso a paso, paso a paso
Configuración de salida :Positivo o negativo
Topología :Dólar, alza
Tipo de salida :Adjustable
Número de resultados :1
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Se aplicará el procedimiento siguiente:

 

Características

■ Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 64 Kbits (F-RAM) organizada lógicamente como 8K × 8

¢ Alta resistencia 100 billones (1014) de lectura y escritura

¢ Retención de datos durante 151 años (véase Retención y duración de los datos en la página 10)

NoDelayTM escribe

Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad

■ Interfaz de serie rápida de dos cables (I2C)

Frecuencia de hasta 1 MHz

¢ Reemplazo directo del hardware para EEPROM serie (I2C)

Apoya tiempos heredados para 100 kHz y 400 kHz

■ Bajo consumo energético

¥ 100 ¥A (tipo) de corriente activa a 100 kHz ¥ 3 ¥A (tipo) de corriente de espera

■ Funcionamiento de tensión: VDD = 2,7 V a 3,65 V

■ Temperatura industrial: de 40°C a +85°C

■ Los paquetes

¢ paquete de circuito integrado de contorno pequeño de 8 pines (SOIC)

■ Restricción de las sustancias peligrosas (RoHS)

 

Descripción funcional

La FM24CL64B es una memoria no volátil de 64 Kbits que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado.Proporciona una conservación fiable de los datos durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, gastos generales y problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por EEPROM y otras memorias no volátiles.

A diferencia de EEPROM, el FM24CL64B realiza operaciones de escritura a velocidad de bus.Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin la necesidad de encuestas de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.F-RAM exhibe una potencia mucho menor durante las escrituras que EEPROM ya que las operaciones de escritura no requieren un voltaje de alimentación internamente elevado para los circuitos de escrituraEl FM24CL64B es capaz de soportar 1014 ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que EEPROM.

Estas capacidades hacen que el FM24CL64B sea ideal para aplicaciones de memoria no volátil, que requieren escrituras frecuentes o rápidas.,La combinación de características permite una grabación de datos más frecuente con menos gastos generales para el sistema.

 

Información

Categoría
El Sr.
Serie
Embalaje
Cintas y bobinas (TR)
Cintas cortadas (CT)
Digi-Rel
Estado de las partes
Actividad
DigiKey es programable
Verificado.
Tipo de memoria
No volátiles
Formato de memoria
Tecnología
Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas
Tamaño de la memoria
Organización de la memoria
8K x 8
Interfaz de memoria
I2C
Frecuencia del reloj
1 MHz
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
550 ns
Voltagem - Suministro
2.7V ~ 3.65V
Temperatura de funcionamiento
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje
Montura de la superficie
Envase / estuche
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número del producto de base

 

Dibujo

FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 Resistencia 151 años Retención sin retraso Escribir 3.6V Máximo, SOIC-8 -40°C~85°C

Nuestra ventaja:

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