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Chongqing Newsin Technology Co., Ltd

Ciudad:chongqing

Provincia / Estado:chongqing

País/Región:china

Persona de contacto:MrLin Yue

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GaN Templates 2 y 4 pulgadas

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Lugar del origen :China

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2 pulgadas GaN Templates:

Dimensiones: ± 0.1m m de Ф 50.8m m
Grueso: 4 µm, µm 20; µm 4
Orientación: ± 0.5° del C-avión (0001)
Tipo de la conducción: N-tipo (sin impurificar); N-tipo (Si-dopado); P-tipo (MG-dopado)
Resistencia (300K): < 0,5 Ω·cm; < 0,05 Ω·cm; ~ 10 Ω·cm
Concentración de portador: < 5x1017 cm-3; > 1x1018 cm-3; > 6x1016 cm-3
Movilidad: ~ 300cm2/V·s; ~ 200 cm2/V·s; ~ 10 cm2/V·s
Densidad de dislocación: Menos que los cm2s 5x108
Estructura del substrato: GaN en el zafiro (estándar: Opción del SSP: DSP)
Superficie usable: el > 90%

4 pulgadas GaN Templates:

Dimensiones: ± 0.1m m de Ф 50.8m m
Grueso: 4 µm, µm 20; µm 4
Orientación: ± 0.5° del C-avión (0001)
Tipo de la conducción: N-tipo (sin impurificar); N-tipo (Si-dopado); P-tipo (MG-dopado)
Resistencia (300K): < 0,5 Ω·cm; < 0,05 Ω·cm: ~ 10 Ω·cm
Concentración de portador: < 5x1017 cm-3; > 1x1018 cm-3; > 6x1016 cm-3
Movilidad: ~ 300cm2/V·s; ~ 200 cm2/V·s; ~ 10 cm2/V·s
Densidad de dislocación: Menos que los cm2s 5x108
Estructura del substrato: GaN en el zafiro (estándar: Opción del SSP: DSP)
Superficie usable: el > 90%

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