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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

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Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado

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China Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado wholesale
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Número de modelo :VBE36015E2
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :1pcs
Capacidad de la fuente :10k
Plazo de expedición :5-8 días laborables
Detalles de empaquetado :embalaje neutral
Condición :Nuevo y Original
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