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DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF

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China DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF wholesale
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DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF
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Número de modelo :VBE6006H
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :1pcs
Capacidad de la fuente :10k
Plazo de expedición :5-8 días laborables
Detalles de empaquetado :embalaje neutral
Condición :Nuevo y Original
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