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Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrCharms Zhao
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Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios

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Número de modelo :VBE6003H
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :1pcs
Detalles de empaquetado :embalaje neutral
Capacidad de la fuente :10k
Plazo de expedición :5-8 días laborables
Condición :Nuevo y Original
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Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios

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