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Revestimiento continuo de obleas de semiconductores ultrasónicos

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Ciudad:hangzhou
Provincia / Estado:zhejiang
País/Región:china
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Revestimiento continuo de obleas de semiconductores ultrasónicos

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Número de modelo :Las condiciones de los productos
Lugar de origen :China
Cantidad mínima de pedido :1 Unidad
Condiciones de pago :T/T, Western Union
Capacidad de suministro :Unidad 1000 por mes
Detalles del embalaje :embalado por el caso de madera
Nombre de la producción :Máquina de pulverización de precisión por ultrasonidos
Frecuencia :20-200 KHZ
Potencia máxima :1 a 15 W
Volumen máximo de pulverización continua :20-1200 ml/h/pcs, Escalable
Ancho de pulverización efectivo :2-260 mm/pcs, escalable
Uniformidad de los aerosoles :≥95%
Viscosidad de la solución :≤ 30 cps
Voltado de entrada :Las emisiones de gases de efecto invernadero de la Unión son las siguientes:
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Revestimiento de obleas de semiconductores ultrasónicos


 
Descripción:

 

El recubrimiento de obleas es un proceso único que facilita la aplicación automática de adhesivos de unión de chips a nivel de obleas, seguido de la formación de películas de unión de chips en la siguiente etapa.La tecnología de recubrimiento de obleas de semiconductores ultrasónicos de FUNSONIC es adecuada para el recubrimiento de obleas, que puede lograr la velocidad de proceso, el control del espesor y la uniformidad del material.Las conexiones de chips se logran mediante calentamiento y presión para producir líneas adhesivas consistentes y pequeñas, las esquinas controladas.

La tecnología de recubrimiento de obleas de semiconductores ultrasónicos debe tener en cuenta los parámetros de pulverización durante el uso, como la frecuencia ultrasónica, la velocidad de pulverización y el grosor del recubrimiento,que deben optimizarse de acuerdo con materiales y requisitos específicosAl mismo tiempo, las propiedades del material también pueden tener cierto impacto en el efecto de pulverización, como la viscosidad, la tensión superficial y la volatilidad del recubrimiento.que deben tenerse en cuenta al seleccionar los materiales.

 


Parámetros:

 

Tipo de producto Máquina de recubrimiento de precisión por ultrasonido inteligente tipo de escritorio FS620
Frecuencia de funcionamiento de la boquilla de rociado 20 a 200 Khz
Potencia de la boquilla 1 a 15 W
Volumen máximo de pulverización continua 0.5 a 10 ml/min
Ancho de pulverización efectivo 2 a 20 mm
Uniformidad de los aerosoles ≥95%
Tasa de conversión de la solución ≥95%
espesor de la película seca 20 nm-100 μm
Viscosidad de la solución ≤ 30 cps
Rango de temperatura 1-60°C
Las partículas atomizadas (valor medio) 15-40 μm (agua destilada), determinado por la frecuencia de la boquilla
Presión de desvío máxima No más de 0,05 MPA
Válvula de entrada Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero
Modo de ejercicio XYZ de tres ejes, programable de forma independiente
Modo de control Sistema de control de pulverización FUNSONIC, control PLC, pantalla táctil a todo color de 13,3 pulgadas
Contenido del control Pulverización ultrasónica, suministro de líquidos, calefacción, dispersión ultrasónica y otros sistemas
Método de suministro de líquido Bomba de inyección de precisión
Sistema de dispersión ultrasónica (opcional) 20 ml o 50 ml, 40K, muestreo de grado biológico
Potencia nominal del sistema de dispersión ultrasónica 100 W


 

Aplicación:

 

1. Revestimiento de una capa fotosensible:
En la fotolitografía, la tecnología ultrasónica se utiliza para revestir uniformemente los materiales fotosensibles, asegurando la transferencia de patrones de alta resolución.
2. recubrimiento protector:
Aplicar revestimientos de protección anti-corrosión y resistentes a los arañazos para mejorar la durabilidad de la oblea.
3. Revestimiento funcional:
En ciertas aplicaciones, se pueden recubrir materiales funcionales con propiedades eléctricas u ópticas específicas.


   Revestimiento continuo de obleas de semiconductores ultrasónicos

Revestimiento continuo de obleas de semiconductores ultrasónicos

 

Revestimiento continuo de obleas de semiconductores ultrasónicos

 

 

Revestimiento de obleas de semiconductores ultrasónicos

 

Revestimiento continuo de obleas de semiconductores ultrasónicos

 

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