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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores de RF bipolares
Corriente - colector (Ic) (máximo) :35 mA
Estado del producto :No está disponible
Tipo de transistor :2 NPN (duales)
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Frecuencia - Transición :8GHz
paquete :Cintas y bobinas (TR)
Serie :-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :10 V
Paquete de dispositivos del proveedor :Se trata de la SOT-363.
El Sr. :CEL
Figura de ruido (dB Tipo @ f) :1.9 dB @ 2 GHz
Potencia - máximo :200mw
Ganancias :7.5 dB
Envase / estuche :Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
Temperatura de funcionamiento :150°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :80 @ 5mA, 3V
Descripción :La frecuencia de transmisión por radio será de 2 NPN 10V 8 GHz SOT363
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Transistor de RF 2 NPN (doble) 10V 35mA 8GHz 200mW Montaje de superficie SOT-363
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