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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Corriente de fuga del emisor de la puerta :250 nA
Categoría de productos :Transistores IGBT
Estilo de montaje :A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C :60 A
Paladio - disipación de poder :260 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo :650 V
Envase / estuche :TO-220-3
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 175 C
Voltado máximo del emisor de la puerta :+/- 20 V
Embalaje :El tubo
Configuración :No casado
Voltado de saturación del colector emisor :2,4 V
Fabricante :STMicroelectrónica
Descripción :IGBT Transistores Trench gte FieldStop IGBT 600V 30A
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ST24E16-6

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