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UDEL Chips Tech Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrJack
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Corriente de fuga del emisor de la puerta :+/- 200 nA
Categoría de productos :Transistores IGBT
Estilo de montaje :A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C :86 A
Paladio - disipación de poder :357 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo :3 KILOVOLTIOS
Envase / estuche :Las instrucciones de acceso a los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 150 °C
Voltado máximo del emisor de la puerta :+/- 25 V
Configuración :No casado
Voltado de saturación del colector emisor :2,7 V
Fabricante :IXYS
Descripción :Transistores IGBT de alta tensión de alta ganancia BIMOSFET
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