Corriente de fuga del emisor de la puerta :nA 100
Categoría de productos :Transistores IGBT
Estilo de montaje :A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C :40 A
Paladio - disipación de poder :125W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo :Las demás:
Envase / estuche :TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 175 C
Embalaje :El tubo
Voltado máximo del emisor de la puerta :20 V
Voltado de saturación del colector emisor :1,9 V
Fabricante :Tecnologías Infineon
Descripción :Transistores IGBT 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
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