Corriente de fuga del emisor de la puerta :+/- 250 nA
Categoría de productos :Transistores IGBT
Estilo de montaje :A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C :80A
Paladio - disipación de poder :283 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo :650 V
Envase / estuche :TO-3P-3
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 175 C
Voltado máximo del emisor de la puerta :+/- 30 V
Configuración :No casado
Voltado de saturación del colector emisor :1,6 V
Fabricante :STMicroelectrónica
Descripción :Transistores IGBT Puerta de zanja IGBT, serie HB 650 V, 40 A de alta velocidad
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