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NGD8201ANT4G

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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NGD8201ANT4G

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Corriente de fuga del emisor de la puerta :300 UA
Categoría de productos :Transistores IGBT
Estilo de montaje :DSM/SMT
Corriente continua en el colector a 25 ° C :20 A
Paladio - disipación de poder :125W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo :Cubiertas
Envase / estuche :DPAK
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 175 C
Voltado máximo del emisor de la puerta :Las demás:
Embalaje :El rollo
Configuración :No casado
Voltado de saturación del colector emisor :1,5 V
Fabricante :Littelfuse
Descripción :Transistores IGBT NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
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