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IRGP20B120UD-EP

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País/Región:china
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IRGP20B120UD-EP
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Categoría de productos :Transistores IGBT
Estilo de montaje :A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C :40 A
Paladio - disipación de poder :300 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo :1,2 kilovoltios
Envase / estuche :TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 150 °C
Voltado máximo del emisor de la puerta :+/- 20 V
Embalaje :El tubo
Configuración :No casado
Voltado de saturación del colector emisor :3.05 V
Fabricante :Tecnologías Infineon
Descripción :Transistores IGBT de 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ IGBT de embalaje
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El IRGP20B120UD-EP, de Infineon Technologies, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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