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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissGrace Liang

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FP50R12KT3BOSA1 Infineon módulo IGBT PIM de tres fases

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Descripción :El número de módulo de IGBT 1200V 75A 280W

Categoría :Productos de semiconductores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT

Corriente - colector (Ic) (máximo) :75 A

Estado del producto :Actividad

Tipo de montaje :Montura del chasis

paquete :Envases

Serie :-

Envase / estuche :Módulo

Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic :2.15V @ 15V, 50A

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :Las demás:

Paquete de dispositivos del proveedor :Módulo

El Sr. :Tecnologías Infineon

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 125 °C

Corriente - límite del colector (máximo) :5 mA

Tipo de IGBT :-

Potencia - máximo :280 w

Ingreso :Estándar

Capacidad de entrada (Cies) @ Vce :3.5 nF @ 25 V

Configuración :Inversor de tres fases

El termistor NTC :- ¿ Qué?

Número del producto de base :FP50R12: las condiciones de los vehículos

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Modulo IGBT Inverter de tres fases 1200 V 75 A 280 W Modulo de montaje del chasis