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MG75P12E2 Yangjie Tecnología electrónica IGBT

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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MG75P12E2 Yangjie Tecnología electrónica IGBT

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Descripción :Transistores - IGBT - módulos E2
Categoría :Productos de semiconductores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo) :75 A
Estado del producto :Actividad
Tipo de montaje :Montura del chasis
paquete :En bruto
Serie :-
Envase / estuche :Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic :2.25V @ 15V, 50A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor :-
El Sr. :Tecnología Yangjie
Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo) :1 mA
Tipo de IGBT :-
Potencia - máximo :442 W
Ingreso :puente rectificador trifásico
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce :2.6 nF @ 25 V
Configuración :Inversor trifásico con el freno
El termistor NTC :- ¿ Qué?
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Modulo IGBT Inversor trifásico con freno 1200 V 75 A 442 W montado en el chasis

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