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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissGrace Liang

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VS-GT80DA120U Transistor bipolar de puerta aislada Semiconductores Vishay

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Descripción :Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplicarán a las emisiones de gases de efecto inverna

Categoría :Productos de semiconductores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT

Corriente - colector (Ic) (máximo) :139 A

Estado del producto :Actividad

Tipo de montaje :Montura del chasis

paquete :En bruto

Serie :HEXFRED®

Envase / estuche :El SOT-227-4, miniBLOC

Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic :2.55V @ 15V, 80A

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :Las demás:

Paquete de dispositivos del proveedor :El SOT-227

El Sr. :General semiconductor - división de Vishay de los diodos

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 150 °C (TJ)

Corriente - límite del colector (máximo) :100 μA

Tipo de IGBT :Foso

Potencia - máximo :658 W

Ingreso :Estándar

Capacidad de entrada (Cies) @ Vce :4.4 nF @ 25 V

Configuración :No casado

El termistor NTC :No

Número del producto de base :GT80

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Modulo IGBT Trench único 1200 V 139 A 658 W Montado en el chasis SOT-227

Etiquetas de productos:

insulated gate bipolar transistor igbt

mosfet igbt

igbt semiconductor

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