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Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

Electrónica Co., Ltd de Guangdong Uchi ¡Fabricante de varistor, de termistor, de condensador, de fusible y de resistor desde 2006!

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SOT-323 SS8050W Transistor planar epitaxial de silicio NPN para alta corriente del colector

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China SOT-323 SS8050W Transistor planar epitaxial de silicio NPN para alta corriente del colector wholesale
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SOT-323 SS8050W Transistor planar epitaxial de silicio NPN para alta corriente del colector
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Número de modelo :Se aplicará el método siguiente:
Lugar de origen :Dongguan China
Cantidad mínima de pedido :1000 unidades
Condiciones de pago :T/T, Unión Occidental
Capacidad de suministro :5000 piezas
Tiempo de entrega :3weeks
Detalles del embalaje :Estándar
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Transistor de baja ruido de alta frecuencia SOT-323

 

Características
 
- Corriente del colector.
- Complementario al SS8550W.
- Disipación del colector:PC=200mW(TC=25°C)
 
 
Las aplicaciones
 
- Corriente del colector.
 
 
Información sobre el pedido
 
No de tipo: SS8050W
Marcado: Y1
Código del paquete:SOT-323
 

Características eléctricas @ Ta=25 °C a menos que se especifique lo contrario

 

Parámetro El símbolo Condiciones de ensayo En el caso de las Tipo de producto Se trata de: Unidad
Voltado de ruptura del colector V(BR) CBO IC=100μA,IE=0 40     V.
Voltado de ruptura del colector-emitidor V ((BR) CEO IC = 2mA, IB = 0 25     V.
Voltado de ruptura de la base del emisor V (BR) EBO IE=-100μA, IC=0 5     V.
Corriente de corte del colector El ICBO VCB = 40V,IE = 0     0.1 MPa
Corriente de corte del colector El ICEO VCE = 20V, IB = 0     0.1 MPa
Corriente de corte del emisor El IEBO VEB = 5V, IC = 0     0.1 MPa
Aumento de corriente continua

 

hFE

 VCE = 1V, IC = 100mA 120   400  
VCE = 1V, IC = 800mA 40      
Voltado de saturación del colector-emitidor VCE (sat) IC = 800 mA, IB = 80 mA     0.5 V.
Tensión de saturación del emisor base VBE (sat) IC = 800 mA, IB = 80 mA     1.2 V.
Voltado del emisor base VBE VCE = 1V IC = 10mA     1 V.
Frecuencia de transición FT VCE = 10V, IC = 50mA f = 30MHz 100     frecuencia de radio

 

Clasificación de las hFE (en inglés) (1)

 

Clasificación - ¿ Qué? H. J.
Rango de acción 120 a 200 Entre 200 y 350 Entre 300 y 400

 

 

TÍPICO Las características @- ¿ Qué?= 25 °Ca menos que de lo contrario especificado

SOT-323 SS8050W Transistor planar epitaxial de silicio NPN para alta corriente del colector

 

SOT-323 SS8050W Transistor planar epitaxial de silicio NPN para alta corriente del colector

 

 
 
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