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Transistores encapsulados de plástico SOT-89 D882
El número máximo Las calificaciones (T)a) el= 25°C a menos que se indique lo contrario Se ha señalado)
El símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
V.CBO | Voltado de base del colector | 40 | V. |
V.Director ejecutivo | Voltado del colector-emitente | 30 | V. |
V.El EBO | Voltado de base del emisor | 6 | V. |
Yo...C. Las | Corriente del colector -continua | 3 | A. No |
PC. Las | Disposición del poder del colector | 0.5 | No |
T.J. | Temperatura del cruce | 150 | °C |
T.el | Temperatura de almacenamiento | -55 ~ 150 | °C |
Características eléctricas ((Ta=25°C a menos que se especifique lo contrario)
Parámetro | El símbolo | Condiciones de ensayo | - ¿ Qué? | Tipo de producto | - ¿ Qué es? | Unidad |
Voltado de ruptura del colector | V(BR) CBO | IC = 100μA, IE = 0 | 40 | V. | ||
Voltado de ruptura del colector-emitidor | V ((BR) CEO | IC = 10mA, IB = 0 | 30 | V. | ||
Voltado de ruptura de la base del emisor | V (BR) EBO | IE = 100μA, IC = 0 | 6 | V. | ||
Corriente de corte del colector | El ICBO | VCB = 40V, IE = 0 | 1 | MPa | ||
Corriente de corte del colector | El ICEO | VCE = 30V, IB = 0 | 10 | MPa | ||
Corriente de corte del emisor | El IEBO | VEB = 6V, IC = 0 | 1 | MPa | ||
Corriente de corriente continua ganancia | HFE ((1) | VCE = 2V, IC = 1A | 60 | 400 | ||
hFE(2) | VCE = 2V, IC = 100mA | 32 | ||||
Voltado de saturación del colector-emitidor | VCE (sat) | IC = 2A, IB = 0,2 A | 0.5 | V. | ||
Tensión de saturación del emisor base | VBE (sat) | IC = 2A, IB = 0,2 A | 1.5 | V. | ||
Frecuencia de transición | FT | VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz | 50 | frecuencia de radio |
Clasificación de hFE(1)
Clasificación | R | ¿ Qué? | Y | GR |
Rango de acción | 60 a 120 | 100 a 200 | 160 a 320 | Entre 200 y 400 |
Típico Características