Resistencia de gran intensidad de la eficacia alta de los diodos de Schottky de la pérdida de la energía baja

Diodos Schottky de baja pérdida de energía Resistencia de alta corriente de alta eficiencia

MBR30100.pdf

El diodo Schottky es un diodo de reparación rápida, que es un componente semiconductor rápido de consumo de energía.Sus características obvias son que el tiempo de recuperación inversa es muy corto (puede ser tan pequeño como unos pocos nanosegundos) y la caída de presión directa es de solo 0,4 V.Los diodos Schottky se utilizan principalmente como diodos rectificadores de alta frecuencia, bajo voltaje y alta corriente, diodos de rueda libre y diodos de mantenimiento.También se utilizan eficazmente como diodos rectificadores y diodos de detección de señales de datos pequeños en circuitos de alimentación, como las comunicaciones de fibra óptica.Se utiliza comúnmente en la rectificación de la fuente de alimentación de conmutación secundaria y la rectificación de la fuente de alimentación de alto voltaje de la TV en color.El diodo Schottky utiliza la unión metal-semiconductor como barrera Schottky para lograr el efecto real de rectificación, que es diferente de la unión PN formada por la unión semiconductor-semiconductor en los diodos en general.Las características de la barrera Schottky hacen que la corriente de encendido y apagado del diodo Schottky sea más baja y puede aumentar la tasa de conversión.Los diodos Schottky tienen un voltaje operativo de encendido y apagado extremadamente bajo.Un diodo general generará una corriente de aproximadamente 0,7 a 1,7 amperios cuando la corriente lo atraviese, pero la corriente del diodo Schottky es solo de 0,15 a 0,45 amperios, lo que puede mejorar la eficiencia del sistema.

Características

1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS

Aplicaciones

1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación

2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad

CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES

SI (AV)	10(2×5)A
VF (máx.)	0.7V (@Tj=125°C)
tj	175 ºC
VRRM	100 V

MENSAJE DEL PRODUCTO

Modelo	Calificación	Paquete
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)

Parámetro			Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje inverso máximo repetitivo			VRRM	100	V
Tensión máxima de bloqueo de CC			VCC	100	V
Corriente directa promedio	TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)	por dispositivo por diodo	SI (AV)	10 5	A
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC)			IFSM	120	A
Temperatura máxima de unión			tj	175	ºC
Rango de temperatura de almacenamiento			TSTG	-40~+150	ºC