Altos diodos de Schottky de la frecuencia que cambian, diodos que ruedan sin pérdidas de la energía baja

Frecuencia de conmutación alta de los diodos de Schottky de la pérdida de potencia baja para los diodos que ruedan libres

MBR20200F.pdf

Diodo Schottky El diodo Schottky, también conocido como diodo de barrera Schottky (SBD, por sus siglas en inglés), es un dispositivo semiconductor de ultra alta velocidad y baja potencia.La característica más notable es que el tiempo de recuperación inversa es extremadamente corto (puede ser tan pequeño como unos pocos nanosegundos) y la caída de tensión directa es de solo 0,4 V.Se utiliza principalmente como diodos rectificadores de alta frecuencia, bajo voltaje y alta corriente, diodos de rueda libre y diodos de protección.También es útil como diodos rectificadores y diodos detectores de pequeña señal en circuitos de comunicación por microondas.Es más común en fuentes de alimentación de comunicación, convertidores de frecuencia, etc.

Una aplicación típica es en el circuito de conmutación del transistor bipolar BJT, al conectar el diodo Shockley al BJT para sujetarlo, de modo que el transistor esté realmente cerca del estado apagado cuando está encendido, aumentando así la velocidad de conmutación de el transistorEste método es la técnica utilizada en los circuitos internos TTL de circuitos integrados digitales típicos como 74LS, 74ALS, 74AS, etc.

La característica más importante de los diodos Schottky es que la caída de tensión directa VF es relativamente pequeña.En el caso de la misma corriente, su caída de tensión directa es mucho menor.Además, tiene un tiempo de recuperación corto.También tiene algunas desventajas: el voltaje soportado es relativamente bajo y la corriente de fuga es ligeramente mayor.Debe considerarse de manera integral al elegir.

Características

1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS

Aplicaciones

1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación

2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad

CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES

SI (AV)	10(2×5)A
VF (máx.)	0.7V (@Tj=125°C)
tj	175 ºC
VRRM	100 V

MENSAJE DEL PRODUCTO

Modelo	Calificación	Paquete
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)

Parámetro			Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje inverso máximo repetitivo			VRRM	100	V
Tensión máxima de bloqueo de CC			VCC	100	V
Corriente directa promedio	TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)	por dispositivo por diodo	SI (AV)	10 5	A
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC)			IFSM	120	A
Temperatura máxima de unión			tj	175	ºC
Rango de temperatura de almacenamiento			TSTG	-40~+150	ºC