
Add to Cart
Capacidad fuerte de soportar la frecuencia de conmutación alta de los diodos de Schottky de la corriente de sobretensión
MBR20200.pdf
Características del diodo Schottky
1. Resistencia de alta corriente: puede soportar una alta corriente de sobretensión.
2. Bajo voltaje soportado inverso: el voltaje soportado inverso general del tubo Schottky es generalmente inferior a 200 V, generalmente alrededor de 100 V, lo que limita el uso de
3. Resistencia a altas temperaturas: la temperatura de unión más alta de los tubos Schottky comunes en el mercado es de 100 °C, 125 °C, 150 % y 175 °C (cuanto mayor sea la temperatura de unión, mejor será la resistencia a altas temperaturas del producto). Es decir, la temperatura a la que funciona el producto (la siguiente no provocará fallos).
4. Caída de tensión directa: la caída de tensión directa del diodo Schottky es mucho menor que la del diodo de recuperación rápida, por lo que su propio consumo de energía es pequeño y la eficiencia es alta.
5. Resistencia a altas temperaturas: la temperatura de unión más alta de los tubos Schottky comunes en el mercado es de 100 °C, 125 °C, 150 % y 175 °C (cuanto mayor sea la temperatura de unión, mejor será la resistencia a altas temperaturas del producto). Es decir, la temperatura a la que funciona el producto (la siguiente no provocará fallos).
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
SI (AV) |
10(2×5)A |
VF (máx.) |
0.7V (@Tj=125°C) |
tj |
175 ºC |
VRRM |
100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
Modelo |
Calificación |
Paquete |
MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
||
Voltaje inverso máximo repetitivo |
VRRM |
100 |
V |
||
Tensión máxima de bloqueo de CC |
VCC |
100 |
V |
||
Corriente directa promedio |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
por dispositivo
por diodo |
SI (AV) |
10 5 |
A |
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) |
IFSM |
120 |
A |
||
Temperatura máxima de unión |
tj |
175 |
ºC |
||
Rango de temperatura de almacenamiento |
TSTG |
-40~+150 |
ºC |