Diodo de gran intensidad de Schottky de la resistencia para la fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor

Diodo de Schottky de resistencia de gran intensidad para fuente de alimentación de interruptor de alta frecuencia

MBR20100.pdf

La estructura del circuito interno de un rectificador Schottky típico se basa en un sustrato semiconductor de tipo N, sobre el cual se forma una capa epitaxial N con arsénico como dopante.El ánodo utiliza materiales como el molibdeno o el aluminio para formar la capa de barrera.El dióxido de silicio (SiO2) se utiliza para eliminar el campo eléctrico en el área del borde y mejorar el valor de tensión soportada del tubo.El sustrato de tipo N tiene una resistencia en estado activado muy pequeña y su concentración de dopaje es un 100 % más alta que la de la capa H.Se forma una capa de cátodo N+ debajo del sustrato para reducir la resistencia de contacto del cátodo.Al ajustar los parámetros estructurales, se forma una barrera de Schottky entre el sustrato de tipo N y el metal del ánodo, como se muestra en la figura.Cuando se aplica una polarización directa a ambos extremos de la barrera de Schottky (el metal del ánodo está conectado al polo positivo de la fuente de alimentación y el sustrato de tipo N está conectado al polo negativo de la fuente de alimentación), la capa de barrera de Schottky se vuelve más estrecho y su resistencia interna se vuelve más pequeña;de lo contrario, si se aplica una polarización inversa a ambos extremos de la barrera de Schottky, la capa de la barrera de Schottky se vuelve más ancha y su resistencia interna se vuelve más grande.

Características

1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS

Aplicaciones

1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación

2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad

CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES

SI (AV)	10(2×5)A
VF (máx.)	0.7V (@Tj=125°C)
tj	175 ºC
VRRM	100 V

MENSAJE DEL PRODUCTO

Modelo	Calificación	Paquete
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)

Parámetro			Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje inverso máximo repetitivo			VRRM	100	V
Tensión máxima de bloqueo de CC			VCC	100	V
Corriente directa promedio	TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)	por dispositivo por diodo	SI (AV)	10 5	A
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC)			IFSM	120	A
Temperatura máxima de unión			tj	175	ºC
Rango de temperatura de almacenamiento			TSTG	-40~+150	ºC