Diodo común de Schottky de la estructura del cátodo para los usos de la protección de la polaridad

Diodo Schottky de estructura de cátodo común para aplicaciones de protección de polaridad

MBR10200.pdf

Un diodo Schottky es un dispositivo metal-semiconductor hecho de un metal noble (oro, plata, aluminio, platino, etc.) A como electrodo positivo y un semiconductor tipo N B como electrodo negativo, y la barrera potencial formada en el superficie de contacto de los dos tiene características de rectificación.Debido a que hay una gran cantidad de electrones en el semiconductor de tipo N y solo una pequeña cantidad de electrones libres en el metal noble, los electrones se difunden desde B con alta concentración hacia A con baja concentración.Obviamente, no hay agujeros en el metal A, y no hay difusión de agujeros de A a B. A medida que los electrones continúan difundiéndose de B a A, la concentración de electrones en la superficie de B disminuye gradualmente y la neutralidad eléctrica de la superficie se destruye. , formando así una barrera de potencial, y la dirección de su campo eléctrico es B→A.Sin embargo, bajo la acción del campo eléctrico, los electrones en A también producirán un movimiento de deriva desde A→B, debilitando así el campo eléctrico formado debido al movimiento de difusión.Cuando se establece una región de carga espacial de cierto ancho, el movimiento de deriva de electrones causado por el campo eléctrico y el movimiento de difusión de electrones causado por diferentes concentraciones alcanzan un equilibrio relativo, formando una barrera de Schottky.

Características

1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS

Aplicaciones

1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación

2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad

CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES

SI (AV)	10(2×5)A
VF (máx.)	0.7V (@Tj=125°C)
tj	175 ºC
VRRM	100 V

MENSAJE DEL PRODUCTO

Modelo	Calificación	Paquete
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)

Parámetro			Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje inverso máximo repetitivo			VRRM	100	V
Tensión máxima de bloqueo de CC			VCC	100	V
Corriente directa promedio	TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)	por dispositivo por diodo	SI (AV)	10 5	A
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC)			IFSM	120	A
Temperatura máxima de unión			tj	175	ºC
Rango de temperatura de almacenamiento			TSTG	-40~+150	ºC