
Add to Cart
Diodo de Schottky de la eficacia alta de la pérdida de potencia baja para la fuente de alimentación del interruptor de alta frecuencia
MBR10100.pdf
El diodo Schottky lleva el nombre de su inventor, el Dr. Schottky (Schottky), y SBD es la abreviatura de Schottky Barrier Diode (Schottky Barrier Diode, abreviado como SBD).SBD no se fabrica según el principio de contacto de semiconductores de tipo P y semiconductores de tipo N para formar la unión PN, sino mediante el principio de unión metal-semiconductor formada por contacto de metal y semiconductor.Por lo tanto, SBD también se denomina diodo de metal-semiconductor (contacto) o diodo de barrera de superficie, que es un tipo de diodo portador caliente.
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
SI (AV) |
10(2×5)A |
VF (máx.) |
0.7V (@Tj=125°C) |
tj |
175 ºC |
VRRM |
100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
Modelo |
Calificación |
Paquete |
MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
||
Voltaje inverso máximo repetitivo |
VRRM |
100 |
V |
||
Tensión máxima de bloqueo de CC |
VCC |
100 |
V |
||
Corriente directa promedio |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
por dispositivo
por diodo |
SI (AV) |
10 5 |
A |
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) |
IFSM |
120 |
A |
||
Temperatura máxima de unión |
tj |
175 |
ºC |
||
Rango de temperatura de almacenamiento |
TSTG |
-40~+150 |
ºC |