salida rápida estupenda del puerto de 65w GaN Charger 3 para la tableta del teléfono móvil
Característica de GaN Charger
1. lista del nitruro del galio 65W nueva de materiales del semiconductor.
2. Exhibición de tiempo real blanca de la luz del indicador del estado actual.
3. Tres-puerto hecho salir llevando la tendencia actual del interfaz.
4. compatibilidad amplia compatible con todos los dispositivos de USB-A y de USB-C, tales como smartphones, tabletas, ordenadores, etc.
5. Disipación de pocas calorías del charging& de gran eficacia.
Especificación de GaN Charger
| Modelo No |
VZ- PD36 |
| Color |
Negro, blanco |
| Técnica |
GaN Technology |
| Material |
PC incombustible |
| El paladio hizo salir |
5V/ 3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3. 25A (PPS: 3. 3 - 21V/3A) |
| El USB A hizo salir |
5V/ 3A, 9V/2. 5A, 12V/1. 87A |
| El paladio de PD+ hizo salir |
20W+ 45W |
| Salida de PD+ USB A |
5V/ 3. 4A |
| Salida de PD+ USB A |
45W+ 18W |
| Salida máxima |
65W |
| Dimensiones |
63. 7* 32. 8* 62M M |
La tendencia general
GaN toma el lugar del silicio
El silicio ha sido el material de la opción para los transistores desde los años 80. El silicio conduce la electricidad mejor que los materiales utilizaron previamente, por ejemplo los tubos de vacío, y los costes pueden ser reducidos porque es más barato producir.
En las últimas décadas, los avances tecnológicos han traído el alto rendimiento al cual ahora estamos acostumbrados. El progreso tiene sus límites, y los transistores del silicio pueden acercar a su pico. Debido a las propiedades de la transferencia del calor y del poder de los materiales del silicio, los componentes no se pueden hacer más pequeños.
GaN, por otra parte, es un material cristalino capaz de conducir voltajes más altos. La corriente atraviesa los componentes hechos de GaN más rápido que el silicio, y el proceso es así más rápidamente. GaN es más eficiente y por lo tanto produce menos calor.
Un transistor es básicamente un interruptor. Un microprocesador es un componente, y hay centenares o aún millares de transistores en un pequeño espacio. Usando GaN en vez del silicio, podemos acortar la distancia entre todos los componentes.
Es decir podemos manejar más poder en un espacio más pequeño. Los pequeños cargadores pueden hacer más trabajo que cargadores grandes, y pueden hacerlo más rápidamente.
Ventajas de GaN Charger
Como sabemos, la materia prima de la mayoría de las industrias es silicio, y el silicio es un material muy importante desde la perspectiva de la industria electrónica. Pero como se han empujado los límites del silicio, parece que el desarrollo del silicio ha alcanzado un embotellamiento. Muchas industrias han comenzado a buscar alternativas más convenientes, GaN han venido a la superficie.
El punto del dolor de cargadores tradicionales miente en el gran número, de gran tamaño, e incómodo llevar, especialmente ahora los teléfonos móviles están consiguiendo más grandes y más grandes, y así que son cargadores del teléfono móvil. El cargador de GaN ha solucionado este problema de la vida.
La ventaja más grande del cargador de GaN es que es no sólo pequeña de tamaño pero también tiene mayor potencia. Generalmente, un cargador de GaN tiene tres puertos de carga, que se pueden utilizar para dos teléfonos móviles y un ordenador portátil al mismo tiempo. Los cargadores con los elementos de GaN son más pequeños y más ligeros, permitiendo una carga más rápida y un mejor control del calor, reduciendo el riesgo de recalentamiento. Además, con el apoyo de la tecnología de GaN, se espera que el poder de carga rápido de teléfonos móviles también alcance nuevos altos.
Las imágenes detalladas de 65W ayunan GaN Charger de carga
