Se utilizan extensivamente como pletinas termales, los portadores de microprocesador, los rebordes de cobre del tungsteno, y los marcos para el RF, los diodos y los detectores electroluminosos, los paquetes del diodo láser como pulso, solo emisor, las barras y los portadores complejos para los amplificadores de la optoelectrónica, los receptores, los transmisores, los láseres sintonizables, etc.

Ventajas:

1. Alta conductividad termal

2. Hermeticity excelente

3. Llanura excelente, final superficial, y control del tamaño

Propiedades del producto:

Grado	Contenido de W	Densidad g/cm3	Coeficiente de la termal Extensión ×10-6 (20℃)	Conductividad termal con (M·K)
90WCu	el 90±2%	17,0	6,5	180 (25℃) /176 (100℃)
85WCu	el 85±2%	16,4	7,2	190 (25℃)/183 (100℃)
80WCu	el 80±2%	15,65	8,3	200 (25℃)/197 (100℃)
75WCu	el 75±2%	14,9	9,0	230 (25℃)/220 (100℃)
50WCu	el 50±2%	12,2	12,5	340 (25℃)/310 (100℃)

Etiquetas de productos:

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