Changzhou Trustec Company Limited

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5 Años
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El diodo de cristal rojo 150mW 32V del disparador del Diac Db3 HACE 35 a través del DIAC del agujero

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Changzhou Trustec Company Limited
Ciudad:changzhou
Provincia / Estado:jiangsu
País/Región:china
Persona de contacto:MsSelena Chai
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El diodo de cristal rojo 150mW 32V del disparador del Diac Db3 HACE 35 a través del DIAC del agujero

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Number modelo :DB3
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :5K PCS
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :800KK PCS por mes
Plazo de expedición :10 productos frescos de los días del trabajo
Detalles de empaquetado :5K PCS por la cinta y la caja, 100K PCS por el cartón.
VBO :28-36V
Tipo de VBO :32V
paquete :Vidrio DO-35
IBO :100μA
Tipo :DIAC
Tipo del paquete :A través del agujero
Material :Silicio
Poder :150mW
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Diodo bidireccional de cristal rojo 150mW 32V DO-35 del disparador DB3 a través del DIAC del agujero
 
 
DB3
DIODO BIDIRECCIONAL DEL DISPARADOR
Voltaje de continuación - 32 voltios de poder 150mW
 
El diodo de cristal rojo 150mW 32V del disparador del Diac Db3 HACE 35 a través del DIAC del agujero
Detalles del producto
 
La pequeña estructura de cristal asegura alta confiabilidad
VBO: versión 28-36V
Corriente de continuación baja
El soldar de alta temperatura garantizó 250 C/10 segundos, 0,375" la longitud de la ventaja (de 9.5m m), 5 libras. tensión (2.3kg)
 
DATOS MECÁNICOS
 
Caso: Cuerpo plástico cuerpo/A-405 de vidrio de JEDEC DO-35
Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750, método 2026
Posición de montaje: Ningunos
Peso: DO-35 0,005 onzas, 0.14gram
              A-405 0,008 onzas, 0.23gram
 
GRADOS Y CARACTERÍSTICAS MÁXIMOS
 
 
CONDICIÓN DE PRUEBA
SÍMBOLOS
VALOR
UNIDADES
Mínimo. Tipo. Máximo.
Voltaje de continuación
C=22nF
VBO
28 32 36
VOLTIOS
Simetría del voltaje de continuación
C=22nF
I+VBOI-I-VBOI
-3
  3
VOLTIOS
Voltaje de continuación dinámico
(NOTA 1)
± I DE I D V
5    
VOLTIOS
Voltaje de salida
DIAGRAM2
Vo
5    
VOLTIOS
Corriente de continuación
C=22nF
IBO
    100
mA
Tiempo de subida
DIAGRAM3
tr
  1,5  
ms
Salida actual
VR=0.5VBO
IB
    10
mA
Disipación de poder en el circuito impreso
TA=65 C
Paladio
    150
mW
Corriente máxima repetidor del en-estado
tp=20ms
f=100Hz
ITRM
    2
Resistencias termales del empalme a ambiente
 
RQJA
    400
℃/W
Resistencias termales del empalme a llevar
 
RQJL
    150 ℃/W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
 
TJ, TSTG
    125

 

 
Ficha técnica del producto
 
Tipo Voltaje de continuación Simetría máxima del voltaje de continuación Corriente de continuación de Max. Peak Voltaje de continuación de Max. DynamicCorriente del En-estado de Max. Peak Paquete
V V μA V
Mínimo. Tipo. Máximo.
DB3 28 32 36 3 100 5 2 DO-35
DB4 35 40 45 3 100 5 2 DO-35
DB6 56 63 70 3 100 5 2 DO-35
DB́8 72 80 88 3 100 5 2 DO-35

 

El diodo de cristal rojo 150mW 32V del disparador del Diac Db3 HACE 35 a través del DIAC del agujero

 

El diodo de cristal rojo 150mW 32V del disparador del Diac Db3 HACE 35 a través del DIAC del agujero

El diodo de cristal rojo 150mW 32V del disparador del Diac Db3 HACE 35 a través del DIAC del agujero

El diodo de cristal rojo 150mW 32V del disparador del Diac Db3 HACE 35 a través del DIAC del agujero

El diodo de cristal rojo 150mW 32V del disparador del Diac Db3 HACE 35 a través del DIAC del agujero

El diodo de cristal rojo 150mW 32V del disparador del Diac Db3 HACE 35 a través del DIAC del agujero

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