Changzhou Trustec Company Limited

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5 Años
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El diodo y el Diac Db4 Db6 Db8 del disparador del Diac Db3 HACEN la señal 35 150mW

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Changzhou Trustec Company Limited
Ciudad:changzhou
Provincia / Estado:jiangsu
País/Región:china
Persona de contacto:MsSelena Chai
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El diodo y el Diac Db4 Db6 Db8 del disparador del Diac Db3 HACEN la señal 35 150mW

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Number modelo :DB3
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :5K PCS
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :800KK PCS por mes
Plazo de expedición :10 productos frescos de los días del trabajo
Detalles de empaquetado :5K PCS por la cinta y la caja, 100K PCS por el cartón.
VBO :28-36V
Tipo de VBO :32V
Paquete :Vidrio DO-35
IBO :100μA
Tipo :DIAC
Tipo del paquete :A través del agujero
Material :Silicio
Poder :150mW
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DIAC bidireccional DB3 del diodo del disparador del paquete DO-35 de la señal de cristal del silicio 150mW
 
DB6
DIODO BIDIRECCIONAL DEL DISPARADOR
Voltaje de continuación - 63 voltios de poder 150mW
 
El diodo y el Diac Db4 Db6 Db8 del disparador del Diac Db3 HACEN la señal 35 150mW
Detalles del producto
 
La pequeña estructura de cristal asegura alta confiabilidad
VBO: versión 56-70V
Corriente de continuación baja
El soldar de alta temperatura garantizado
250 C/10 segundos, 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m),
5 libras. tensión (2.3kg)
 
DATOS MECÁNICOS
 
Caso: Cuerpo de vidrio de JEDEC DO-35
Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750,
Método 2026
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,005 onzas, 0.14gram
 
GRADOS Y CARACTERÍSTICAS MÁXIMOS
 
 
CONDICIÓN DE PRUEBA
SÍMBOLOS
VALOR
UNIDADES
Mínimo. Tipo. Máximo.
Voltaje de continuación
C=22nF
VBO
56 63 70
VOLTIOS
Simetría del voltaje de continuación
C=22nF
I+VBOI-I-VBOI
-3
  3
VOLTIOS
Voltaje de continuación dinámico
(NOTA 1)
± I DE I D V
5    
VOLTIOS
Voltaje de salida
DIAGRAM2
Vo
5    
VOLTIOS
Corriente de continuación
C=22nF
IBO
    100
mA
Tiempo de subida
DIAGRAM3
tr
  1,5  
ms
Salida actual
VR=0.5VBO
IB
    10
mA
Disipación de poder en el circuito impreso
TA=65 C
Paladio
    150
mW
Corriente máxima repetidor del en-estado
tp=20ms
f=100Hz
ITRM
    2
Resistencias termales del empalme a ambiente
 
RQJA
    400
℃/W
Resistencias termales del empalme a llevar
 
RQJL
    150 ℃/W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
 
TJ, TSTG
-40   125

 

 
Ficha técnica del producto
 
Tipo Voltaje de continuación Simetría máxima del voltaje de continuación Corriente de continuación de Max. Peak Voltaje de continuación de Max. DynamicCorriente del En-estado de Max. Peak Paquete
V V μA V
Mínimo. Tipo. Máximo.
DB3 28 32 36 3 100 5 2 DO-35
DB4 35 40 45 3 100 5 2 DO-35
DB6 56 63 70 3 100 5 2 DO-35
DB́8 72 80 88 3 100 5 2 DO-35

 

El diodo y el Diac Db4 Db6 Db8 del disparador del Diac Db3 HACEN la señal 35 150mW

 

El diodo y el Diac Db4 Db6 Db8 del disparador del Diac Db3 HACEN la señal 35 150mW

El diodo y el Diac Db4 Db6 Db8 del disparador del Diac Db3 HACEN la señal 35 150mW

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El diodo y el Diac Db4 Db6 Db8 del disparador del Diac Db3 HACEN la señal 35 150mW

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