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Changzhou Trustec Company Limited

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405 un avance del diodo 0.6m m del Bl Db3 a través del silicio del plástico del agujero

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Diodos de las TV

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Diodo del disparador del DIAC

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Changzhou Trustec Company Limited
Ciudad:changzhou
Provincia / Estado:jiangsu
País/Región:china
Persona de contacto:MsSelena Chai
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China 405 un avance del diodo 0.6m m del Bl Db3 a través del silicio del plástico del agujero wholesale
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405 un avance del diodo 0.6m m del Bl Db3 a través del silicio del plástico del agujero
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Number modelo :DB3
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :5K PCS
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :800KK PCS por mes
Plazo de expedición :10 productos frescos de los días del trabajo
Detalles de empaquetado :5K PCS por la cinta y la caja, 50K PCS por el cartón.
VBO :28-36V
Tipo de VBO :32V
Paquete :A-405
IBO :100μA
Tipo :DIAC
Tipo del paquete :A través del agujero
Material :Silicio
Poder :150mW
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ventaja de 0.6m m a través del diodo bidireccional DB3 del disparador del DIAC plástico del silicio A-405 del agujero
 
DB3
DIODO BIDIRECCIONAL DEL DISPARADOR
Voltaje de continuación - 32 voltios de poder 150mW
 
405 un avance del diodo 0.6m m del Bl Db3 a través del silicio del plástico del agujero
 
Detalles del producto
 
La pequeña estructura de cristal asegura alta confiabilidad
VBO: versión 28-36V
Corriente de continuación baja
El soldar de alta temperatura garantizó 250 C/10 segundos, 0,375" la longitud de la ventaja (de 9.5m m), 5 libras. tensión (2.3kg)
 
DATOS MECÁNICOS
 
Caso: Cuerpo plástico cuerpo/A-405 de vidrio de JEDEC DO-35
Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750, método 2026
Posición de montaje: Ningunos
Peso: DO-35 0,005 onzas, 0.14gram
              A-405 0,008 onzas, 0.23gram
 
GRADOS Y CARACTERÍSTICAS MÁXIMOS
 
 
CONDICIÓN DE PRUEBA
SÍMBOLOS
VALOR
UNIDADES
Mínimo. Tipo. Máximo.
Voltaje de continuación
C=22nF
VBO
 28 32 36
VOLTIOS
Simetría del voltaje de continuación
C=22nF
I+VBOI-I-VBOI
-3
   3
VOLTIOS
Voltaje de continuación dinámico
(NOTA 1)
± I DE I D V
 5    
VOLTIOS
Voltaje de salida
DIAGRAM2
Vo
 5    
VOLTIOS
Corriente de continuación
C=22nF
IBO
     100
mA
Tiempo de subida
 DIAGRAM3
tr
   1,5  
ms
Salida actual
VR=0.5VBO
IB
     10
mA
Disipación de poder en el circuito impreso
TA=65 C
Paladio
     150
mW
Corriente máxima repetidor del en-estado
tp=20ms
f=100Hz
ITRM
     2
Resistencias termales del empalme a ambiente
  
RQJA
     400
℃/W
Resistencias termales del empalme a llevar
  
RQJL
     150 ℃/W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
  
TJ, TSTG
     125 ℃

 

CURVAS CARACTERÍSTICAS
 

405 un avance del diodo 0.6m m del Bl Db3 a través del silicio del plástico del agujero

 

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Etiquetas de productos:

3mm diode

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